1、中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权
2、第二十四届中国专利奖授奖 东旭集团旗下公司获银奖及优秀奖
3、清华大学研发出存储芯片“诊疗一体化”技术
4、初创公司瑞利光：已验证堆叠式MicroLED量产可行性
5、LG Innotek获得三项电动汽车充电标准全球专利
1、中芯国际“NAND闪存器件及其形成方法”专利获授权
天眼查显示，中芯国际近日新增多条专利信息，其中一条名称为“NAND闪存器件及其形成方法”，公开号为CN113078099A，法律状态显示该专利已获授权。
专利摘要显示，一种NAND闪存器件及其形成方法，方法在形成第一源漏掺杂区之后，刻蚀减薄第一初始间隙壁结构，使第一初始间隙壁结构形成第一间隙壁结构；形成第一间隙壁结构之后，在第一槽中形成底部介质层；形成底部介质层之后，去除第一间隙壁结构，以在底部介层和第一栅极结构之间、以及底部介质层和第二栅极结构之间形成第一开口；在第一开口的内壁和第一开口上、以及底部介质层上形成顶部介质层，第一槽中底部介质层分别和第一栅极结构和第二栅极结构之间具有第一空隙，第一空隙被顶部介质层的材料包裹；形成贯穿顶部介质层和底部介质层的第一导电连接结构，第一导电连接结构与第一源漏掺杂区电学连接。上述的方案，可以提高NAND闪存器件的成品率。
中芯国际指出，NAND闪存器件具有较高的单元密度、较高的存储密度、较快的写入和擦除速度等优势，逐渐成为了快闪存储器中较为普遍使用的一种结构，目前主要用于数码相机等的闪存卡和MP3播放机中。其中，现有的一种NAND闪存器件采用空隙用于作为空气侧墙，与侧墙材料相比，空气的介电常数较小，所以空气侧墙的设置能够减小NAND闪存器件中相邻字线之间的电容，从而改善所述NAND闪存器件在编程过程中的串扰问题和NAND闪存器件的重复读写能力。但是，目前NAND闪存器件的性能仍有待提高，因此提出了上述专利。
2、第二十四届中国专利奖授奖 东旭集团旗下公司获银奖及优秀奖
10月14日，第二十四届中国专利奖颁奖大会在大连举办。我国新型显示核心材料国产化龙头企业东旭集团旗下上市公司东旭光电，凭借“一种硅酸盐制品及其强化方法”“牵引辊配重的安装结构及其机构、玻璃基板工艺调整方法”两项发明专利，分别获评中国专利银奖和中国专利优秀奖。这是东旭集团旗下公司继两度荣获中国专利金奖后，再度被授予中国专利奖，成为紧抓知识产权，以高水平科技创新推动国产替代的代表性企业。
中国专利奖由国家知识产权局与世界知识产权组织(WIPO)联合设立，已成为知识产权领域展示先进、表彰先进、激励先进的重要奖项。它是我国唯一的专门对授予专利权的发明创造给予奖励的政府部门奖，也是我国专利领域的最高奖项。
在新一轮信息技术快速进步和产业加快变革背景下，新型显示产业作为国民经济和社会发展战略性、基础性和先导性产业的特征更加明显，特别是在数字文旅、数字医疗、教育培训、汽车显示、数字装备等多个新兴产业中发挥着独特的作用。工信部数据显示，2022年我国显示面板产值3600多亿元，全球占比48%；显示面板出货面积1.6亿平方米，全球市场占比68.6%。这其中，东旭集团作为面板产业上游的本土核心企业，在我国由显示大国向显示强国的迈进过程中，发挥着保链稳链的重要作用。
据了解，东旭集团自进入新型显示行业以来，就紧密围绕国家重大需求开展科研攻关，在打赢显示产业关键核心技术攻坚战中主动作为、勇挑重担，在关系发展全局和国家安全的基础核心领域取得一系列重要专利成果。
以本次获评银奖的专利为例，其产品已广泛用于手机、车载仪表盘、车载中控显示屏、平板电脑等主流显示终端，满足多类产品轻薄、抗摔、防划等性能需求，品质领先，推动了该类材料国产化进程。
中国科学院院士欧阳钟灿指出，对于显示技术的发展而言，材料和设备是关键，占据着重要地位。事实上，每一次显示技术的升级都依赖于装备和材料的技术进步。东旭集团在CRT显示时代和当下的新型显示时代多次打破国外垄断，为我国显示行业研发了拥有自主知识产权的核心装备和材料，成长为产业链上游的龙头企业。
扎实的专利护城河，使东旭集团得以持续破解巨头“卡脖子”。目前，东旭集团已建立起完善的知识产权战略体系、知识产权信息利用体系、知识产权挖掘及布局体系、知识产权分级管理体系、高价值专利培育体系、知识产权维权及纠纷应对体系等六大管理体系；将知识产权与公司各项核心业务深度融合，对其中存在的知识产权风险进行动态跟踪、实时预警，扎实筑起专利护城河。
截至目前，东旭集团及旗下公司共获得中国专利金奖2项、银奖1项、优秀奖1项，还获评国家科技进步一等奖、二等奖，以及“国家知识产权示范企业”“国家智能制造示范工厂”、国家级“绿色工厂”、“中国新型显示产业链发展贡献奖—特殊贡献奖”等称号，体现出国家和行业对其基础研发和产业化能力的认可。
3、清华大学研发出存储芯片“诊疗一体化”技术
在法庭科学和数据恢复技术领域，如何从一体化存储设备的芯片中恢复丢失数据是世界范围内都面临的难题之一。传统方法通常需要人工去除芯片绝缘层，之后访问设备的印刷电路板。这种方法不仅耗时，还可能损伤关键存储部件，容易对数据恢复产生不利影响。为解决这一难题，清华大学研发出一种一体化存储芯片手术机器人“技术”，有望替代传统电子数据取证方法，并在临床手术、微电子加工、文物修复等领域应用。
清华物理系教授薛平团队与公安部鉴定中心合作，另辟蹊径研发的手术机器人技术，融合了机器人智能、光学相干层析成像和激光刻蚀消融等技术，为损坏的一体化存储芯片做“手术”，帮助U盘等一体化存储设备恢复丢失数据。
据介绍，“手术”分为诊断和治疗两个阶段。首先要判断芯片的数据存储哪里出了问题，通过光学相干层析成像技术可以实现对生物组织的高分辨三维快速层析成像，并借此判断不同损坏类型，自动分析划痕深度、烧伤程度和折痕损坏区域等。相比于有辐射的X射线成像技术，该技术使用低功率近红外光，避免了对操作员、设备或存储数据的潜在危害。然后，薛平团队将激光消融设备光学共路集成于光学相干层析成像系统中，构成一体化存储芯片手术机器人。在三维图像的引导下，机器人有选择性地精准移除芯片绝缘层的目标区域，最大限度地减少了对设备的损害，并简化了焊接过程，提高了数据恢复效率。
4、初创公司瑞利光：已验证堆叠式MicroLED量产可行性
今年成立的中国香港初创公司瑞利光有限公司（Rayleigh Vision）宣布，已经验证了采用该公司专利技术的堆叠式MicroLED产品量产可行性。
这种发光芯片将红绿蓝三种发光层垂直堆叠在一起，大大提高显示效果和像素密度。该公司声称，到2023年底，其像素密度可以提高四倍。
此前瑞利光已发布多款MicroLED产品，包括0.55英寸的微型显示器，以及0.38英寸、3780ppi的显示屏。该公司还表示，正在尝试实现高达10000ppi的像素密度，单像素尺寸仅为2.5μm，并准备投入这种晶圆的量产。
5、LG Innotek获得三项电动汽车充电标准全球专利
韩国电子零部件制造商LG Innotek 10月15日宣布获得了三项电动汽车充电领域的全球专利，代表了该公司的标准得到全球认可。
这三项专利中，两项为基于电池状态信息的充电控制技术，另外一项是充电时间编程技术。
LG Innotek同时还被Via Licensing Alliance (LA) 认定为专利技术许可人，该公司总部位于美国旧金山，是电动汽车充电标准专利方面的专业公司。LG Innotek成为全球仅8家获得Via公司授权的公司之一，其它公司包括通用电气、博世、西门子。
